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J-GLOBAL ID：201202227782689594   整理番号：12A1328047

Ge₂Sb₂Te₅相変化膜におけるサブギャップ状態

Sub-gap states in Ge₂Sb₂Te₅ phase change films

著者 (1件)： GOTOH Tamihiro
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2366-2368  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸着と熱アニーリングを行って得たGe₂Sb₂Te₅膜のサブギャップ吸収スペクトルを拡大光熱偏光分光法を用いて0.31から2.5eV(500から4000nm)の条件で求めた。アニーリングした試料のスペクトル中に0.41eVのサブギャップ吸収ピークを見出した。吸収ピーク強度は140°C以上においてアニーリング温度の上昇とともに増加する。この結果はfcc-Ge₂Sb₂Te₅中の固有構造欠陥がサブギャップ状態を形成することと関連する。fcc-Ge₂Sb₂Te₅中の空孔は価電子バンド端より上でギャップ状態を形成しp型の伝導を齎す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *バンドギャップ ,  光熱偏向分光法 ,  相転移 ,  温度 ,  熱処理 ,  格子欠陥 ,  構造 ,  P型半導体 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  *サブギャップ ,  *テルル化ゲルマニウムアンチモン ,  構造欠陥 ,  相変化 ,  熱アニーリング

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相変化 ,  サブギャップ