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J-GLOBAL ID：201202227938933628   整理番号：12A1650827

スパッタしたAlN薄膜の厚みに依存する残留応力

Thickness dependent residual stress in sputtered AlN thin films

著者 (14件)： POBEDINSKAS Paulius (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  BOLSEE Jean-christophe (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  DEXTERS Wim (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  RUTTENS Bart (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  RUTTENS Bart (IMOMEC, IMEC vzw, Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  MORTET Vincent (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  MORTET Vincent (IMOMEC, IMEC vzw, Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  MORTET Vincent (LAAS, CNRS-Universite de Toulouse, 7 av. du Colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA) ,  D’HAEN Jan (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  D’HAEN Jan (IMOMEC, IMEC vzw, Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  MANCA Jean V. (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  MANCA Jean V. (IMOMEC, IMEC vzw, Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN Ken (Inst. for Materials Res. (IMO), Hasselt Univ., Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN Ken (IMOMEC, IMEC vzw, Wetenschapspark 1, B-3590 Diepenbeek, BEL)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 522  ページ： 180-185  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚みの異なる窒化アルミニウム(AlN)薄膜を直流マグネトロンスパッタリングによりサファイア(0001)基板とケイ素(100)基板上に蒸着し,残留応力,形態,構造特性を調べた。厚みは17nm~3.9μmであった。薄い膜では高い圧縮残留応力を測定し,応力勾配の存在を立証した。X線回折では,膜は膜表面に垂直に完全にc軸配向し,二軸歪を示した。ロッキングカーブはサファイア基板上の膜が全ての膜厚で高度に配向し,ケイ素基板上に成長させた膜は高い脱配向をはじめ,膜の品質は厚みと共に向上した。原子間力顕微鏡による表面分析は膜厚増加と共に連続した膜粗面化と結晶粒界密度の低下を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *残留応力 ,  基板 ,  電子顕微鏡観察 ,  ロッキングカーブ ,  形態 ,  表面構造
準シソーラス用語： X線回折パターン ,  ケイ素基板 ,  サファイア基板 ,  表面形態 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ ,  AlN ,  薄膜 ,  厚み ,  残留応力