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J-GLOBAL ID：201202228023181345   整理番号：12A0744619

制限下での決定的な高分子電解質吸着:平面性切り目,円柱状孔および球状空洞

Critical Polyelectrolyte Adsorption Under Confinement: Planar Slit, Cylindrical Pore, and Spherical Cavity

著者 (3件)： CHERSTVY A. G. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  CHERSTVY A. G. (Univ. Potsdam, Potsdam-Golm, DEU) ,  CHERSTVY A. G. (MPI for Physics of Complex Systems, Dresden, DEU)
資料名： Biopolymers  (Biopolymers)
巻： 97  号： 5  ページ： 311-317  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0766A  ISSN： 0006-3525  CODEN： BIPMAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子電解質(PE)の静電引力(ES)による逆の荷電表面への吸着について解説した。まず,ESにより駆動された吸着の理論的モデルの原理について,Wentzel-Kramers-Brillouin法を中心に解説した。次に,平面性切り目,円柱状孔および球状空洞という3種類の吸着形状のES電位を計算し,吸着を引き起こす最小表面荷電密度に対するスケーリングを導き出した。最後に,ここで用いた手法の生物学的応用について議論し,ナノチューブ内での一本鎖核酸のカプシド形成やウイルスのカプシド内部への一本鎖核酸の吸着を紹介した。

シソーラス用語： *高分子電解質 ,  力 ,  物理吸着 ,  表面電荷 ,  WKB法 ,  電位 ,  電荷分布 ,  密度 ,  *ナノチューブ ,  *タンパク質合成 ,  *カプシド ,  一本鎖DNA ,  RNA【核酸】 ,  生体高分子
準シソーラス用語： *カプシド形成 ,  一本鎖RNA ,  静電電位 ,  静電力 ,  電荷密度

分類 (2件)： 核酸一般  (EB04010U) ,  ウイルスの生化学  (EG04030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 制限 ,  高分子電解質 ,  吸着 ,  平面性 ,  切り目 ,  円柱 ,  球状 ,  空洞