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J-GLOBAL ID：201202228164849943   整理番号：12A0543241

InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価

著者 (6件)： 渡邉龍郎 (上智大 理工) ,  乙幡温 (上智大 理工) ,  和保孝夫 (上智大 理工) ,  BLEKKER Kai (上智大 理工) ,  PROST Werner (上智大 理工) ,  TEGUDE Franz-Josef (上智大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 426(SDM2011 159-175)  ページ： 25-29  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InAsナノワイヤMISFETを作製し,高周波Sパラメータ測定を行うことでデバイスの高周波特性を評価した。また,得られたSパラメータを用いてg_m,C_gs,C_gdなどの素子パラメータを抽出した。さらに各素子パラメータの経時変化を測定し,InAs/絶縁膜界面が高周波特性へ及ぼす影響を考察した。ドレイン電流は時間とともに減少していく特性が確認された。それに伴うユニティゲイン周波数の劣化はなく,むしろ微増していく傾向が確認された。これらの経時変化は電子の界面トラップの存在を示唆している。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *MISFET ,  *周波数特性 ,  *S行列 ,  相互コンダクタンス ,  経時変化 ,  絶縁膜 ,  ドレイン【半導体】 ,  利得 ,  キャリア捕獲 ,  チャネル ,  キャリア移動度 ,  *信号解析 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 高周波特性 ,  界面トラップ ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  ナノワイヤ ,  MISFET ,  高周波特性 ,  評価