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J-GLOBAL ID：201202228314402144   整理番号：12A1187603

非晶質In₂O₃-10wt.%ZnO薄膜の可変領域ホッピング伝導とキャリア密度の間の関連

Relationship between variable range hopping transport and carrier density of amorphous In₂O₃-10 wt. % ZnO thin films

著者 (7件)： MAKISE Kazumasa (National Inst. of Information and Communications Technol., Kobe 651-2492, JPN) ,  SHINOZAKI Bunju (Dep. of Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 810-8560, JPN) ,  ASANO Takayuki (Dep. of Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 810-8560, JPN) ,  MITSUISHI Kazutaka (National Inst. of Material and Sci., Tsukuba 305-0003, JPN) ,  YANO Koki (Central Res. Laboratories, Idemitsu Kosan Co. Ltd., Chiba 299-0293, JPN) ,  INOUE Kazuyoshi (Central Res. Laboratories, Idemitsu Kosan Co. Ltd., Chiba 299-0293, JPN) ,  NAKAMURA Hiroaki (Central Res. Laboratories, Idemitsu Kosan Co. Ltd., Chiba 299-0293, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 033716-033716-6  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ZnドープIn₂O₃膜の電気輸送特性を,キャリア密度N_eが2×10¹⁷から6×10²⁰cm^-3の範囲で調べた。N_e>3×10²⁰cm^-3の膜については,Hall移動度μ_Hはイオン化不純物散乱により限定される。しかし,N_e<1×10²⁰cm^-3の膜については,μ_HのN_e依存性は関係μ_H∝N_e^1/3で与えられる。電気抵抗率ρ(T)の温度依存性は,金属性を示すdρ/dT>0から絶縁性を示すdρ/dT<0へとN_eの減少とともにN_e≒1×10²⁰cm^-3付近で変化する。高抵抗領域のキャリア輸送の機構をIoffe-Regel基準を基にしたモデルで論じた。扱った中で最高の抵抗率のN_e≒(5~6)×10¹⁷cm^-3の膜では,ρ(T)はMottの可変領域ホッピング(ρ∝expT^-1/4からρ∝expT^-1/2に温度を下げて10K付近から変化する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *亜鉛 ,  *非晶質 ,  *酸化インジウム ,  特性 ,  *キャリア密度 ,  *Hall移動度 ,  キャリア散乱 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  輸送現象 ,  *ホッピング伝導 ,  ドーピング ,  酸化亜鉛 ,  薄膜
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  *可変領域ホッピング ,  不純物散乱 ,  輸送特性

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非晶質 ,  可変領域ホッピング伝導 ,  キャリア密度