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J-GLOBAL ID：201202228343251589   整理番号：12A0456679

InGaZnO TFT関連成膜技術のOLEDパネルへの適用

著者 (7件)： 湯川富之 (アルバック 千葉超材料研) ,  大石祐一 (アルバック) ,  倉田敬臣 (アルバック 千葉超材料研) ,  新井真 (アルバック 千葉超材料研) ,  清田淳也 (アルバック 千葉超材料研) ,  高橋一寿 (アルバック 千葉超材料研) ,  石橋暁 (アルバック 千葉超材料研)
資料名： ULVAC Technical Journal  (ULVAC Technical Journal)
号： 76  ページ： 1-7  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： L3761A  ISSN： 0910-6189  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機発光ダイオード(OLED)パネルへの適用に向けたInGaZnO(IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の成膜技術について述べた。OLEDは,電流駆動型であるために,高い移動度が必要とされている。IGZOは,低温成膜が可能,高い移動度,非晶質相による大面積均一性が可能であるとともに,さらに,スパッタリングによる成膜が可能という特徴をもつ。IGZO TFTの量産技術の確立のために,酸素ガス導入方法の最適化と高品質ターゲットの使用により,大型基板上に均一なTFT特性が得られることを実証した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  均一性 ,  非晶質 ,  *スパッタ蒸着 ,  大量生産 ,  最適化 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  酸素
準シソーラス用語： AMOLEDディスプレイ ,  *IGZO【半導体】 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  大面積 ,  有機発光ダイオード

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表示機器  (NC06030Q)

引用文献 (18件)：

• 1) M. Kobayuashi, M. Takei, T. Isobe, T. Kurata, M. Arai, J. Kiyota, S. Ishibashi, T Ono, Y. Sato, S. Sato, J. Nitta and K. Takahashi: ULVAC TECHNICAL JOURNAL, 73 (2010) p.8
• 2)「美に挑む規格外テレビ」,日経エレクトロニクス,997(2009)p.37
• 3)「3D映像技標準化の波映画からテレビ,写真まで」,日経エレクトロニクス,1009(2009)p.73
• 4) JST News, April (2010) p.6
• 5) S. Takasawa, S. Ishibashi, T. Masuda: ULVAC TECHNICAL JOURNAL, 69 (20008) p.7

タイトルに関連する用語 (3件)： TFT ,  成膜 ,  OLED