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J-GLOBAL ID：201202228371241122   整理番号：12A0155539

シリコンベースの二重量子ドットにおけるコヒーレントな一重項-三重項振動

Coherent singlet-triplet oscillations in a silicon-based double quantum dot

著者 (14件)： MAUNE B. M. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  BORSELLI M. G. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  HUANG B. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  LADD T. D. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  DEELMAN P. W. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  HOLABIRD K. S. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  KISELEV A. A. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  ALVARADO-RODRIGUEZ I. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  ROSS R. S. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  SCHMITZ A. E. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  SOKOLICH M. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  WATSON C. A. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  GYURE M. F. (HRL Lab. LLC, California, USA) ,  HUNTER A. T. (HRL Lab. LLC, California, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 481  号： 7381  ページ： 344-347  発行年： 2012年01月19日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンは従来型のマイクロエレクトロニクス産業における主要材料であるだけでなく,新たに生まれつつある量子情報技術のためのホスト材料としても有望である。標準的な製造法により,シリコントランジスタ型デバイスでの単一電子スピンの分離がすでに可能になっている。これは他の材料でも可能だが,シリコンベースの方が核スピンとの相互作用が弱いという利点がある。このような相互作用を低減することはスピン量子ビットを制御する上で重要となる。それは最近のGaAs量子ドットでの実験で見られるように,核の揺らぎが量子位相コヒーレンスを制限するためである。複雑な制御により核のデコヒーレンス効果を低減する技術は進展したが,それでもバルクシリコン結晶中の不純物に束縛された電子の大きな集団についての実験に比べれば大幅に短いコヒーレンス時間しか得られていない。本論文では,非ドープSi/SiGeヘテロ構造中の2個の結合した量子ドットにおける電子スピンのコヒーレント制御の結果を報告し,この系の核誘起のデフェージング時間が360ナノ秒になることを示す。これはGaAs量子ドットで行われた同様の測定の結果をほぼ2桁上回る長さである。観測された位相コヒーレンスの度合いは,高速のゲートされた電気的初期化,読み出しおよび制御と組み合せれば,これからのシリコンベース量子情報プロセッサー開発を促すものとなるだろう。Copyright Nature Publishing Group 2012

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *量子ドット ,  *位相制御 ,  *電子スピン ,  デフェージング ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子情報 ,  固体素子 ,  専用プロセッサ ,  振動
準シソーラス用語： コヒーレント制御 ,  一重項-三重項振動 ,  *二重量子ドット

分類 (2件)： 磁性一般  (BM06010M) ,  その他の計算機  (JC06020B)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  二重量子ドット ,  コヒーレント ,  一重項 ,  三重項