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J-GLOBAL ID:201202228466163102   整理番号:12A0425552

2.7μm単一周波数TEM00低閾値Sbベースダイオード励起外部キャビティVCSEL

2.7-μm Single-Frequency TEM00 Low-Threshold Sb-Based Diode-Pumped External-Cavity VCSEL
著者 (4件):
資料名:
巻: 24  号: 1-4  ページ: 246-248  発行年: 2012年01月01日 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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最適成長技術に基づいた,低閾値で連続波(CW),室温(RT)で,低発散TEM00ビームを示す,2.7μm付近で動作する,可変単一周波数垂直外部キャビティ面発光半導体レーザ(VECSEL)素子を示した。この素子を,出力パワー,ビーム品質,偏光およびスペクトル特性に関して検討した。線形偏光低発散TEM00ビームにおいて,0.17mWの出力が得られた。高熱インピーダンスにより制限される出力性能を,垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL)構造の半分を,高熱伝導ホスト基板(ダイヤアモンド,Sic,Au)に接着するための膜技術プロセスのおかげで非常に強化できた。分布Bragg反射器の低熱伝導度に制限される,6層の熱インピーダンス低減を150μmスポットのために達成し,50mW以上を得るための数Wのポンピングを可能にした。
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分類 (1件):
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半導体レーザ 

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