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J-GLOBAL ID:201202228901600463   整理番号:12A0584253

炭化しているシリコンナノ多孔質ピラーアレイの室温におけるH2Sガスセンサ特性

Room-temperature H2S gas sensing properties of carbonized silicon nanoporous pillar array
著者 (4件):
資料名:
巻: 520  号: 13  ページ: 4436-4438  発行年: 2012年04月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シシリコンナノ多孔質柱アレイ(Si-NPA)を真空炉のグラファイトるつぼで1100°Cで熱処理することで,立方体のSiCナノ粒子で構成された連続薄膜が作製され,室温の抵抗によるセンサ特性が測定された。センサはH2S検出に対し高感で,上限濃度は1200ppmであることがわかった。吸着-脱離のダイナミックなサイクルと長時間の大気雰囲気での吸蔵実験を行うことで,センサは,高い再現性と長期の安定性をもつことが示された。SiC/Si-NPA上へのH2S分子の可能な吸着モードを解析することで,センシングの機構を提案した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分析機器  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 

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