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J-GLOBAL ID:201202229610826169   整理番号:12A0950354

様々なバイアス電圧で析出した,SiとAlを共ドーピングした水素化非晶質炭素膜のミクロ構造,機械的性質およびトライボロジー的性質

Microstructure, mechanical and tribological properties of Si and Al co-doped hydrogenated amorphous carbon films deposited at various bias voltages
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巻: 206  号: 19-20  ページ: 4119-4125  発行年: 2012年05月25日 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SiとAlを含む水素化された非晶質炭素膜(a-C:H/(Si,Al))をSi(100)基材にいろいろな負のバイアス電圧で,無線周波数(RF,13.56MHz)マグネトロンスパッタリングで析出した。化学組成と構造をそれぞれX線光電子分光学(XPS)とラマンスペクトルで検討した。ラマンスペクトルの結果によると,零の負バイアス電圧で析出された膜は大きく水素化されていたが,高いバイアス電圧が印加した時は著しい黒鉛化が膜に起こった。原子間力顕微鏡(AFM)の結果によると,適度の負のバイアス電圧で析出された膜は超平滑な表面を持っていた。膜の機械的・摩擦学的特性をそれぞれナノインデンテーション試験とボールオンディスクモードの摩擦計で測定した。負のバイアス電圧は膜の機械特性に大きな影響を与えた。バイアス電圧を基材に加えた時は膜のトライボロジー的性質がかなり改良された。特に,-200Vで析出された膜は,比較的低い硬度を示したが,高いヘルツ接触応力(1.6GPaという高さ)下の環境大気中で非常に低い摩擦挙動(0.0085)と長い摩耗寿命(>105回転)を与えた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 
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