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J-GLOBAL ID：201202229775283437   整理番号：12A0583541

電気絶縁されたSiダブル量子ドットに於ける電子温度

Electron temperature in electrically isolated Si double quantum dots

著者 (3件)： ROSSI A. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  FERRUS T. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  WILLIAMS D. A. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 13  ページ： 133503-133503-3  発行年： 2012年03月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷ベース量子計算はリードレス量子システムに於ける単一電子の高信頼制御によって達成可能である。リン添加Si中の電気絶縁されたダブル量子ドット(DQDs)に於ける単一電荷遷移は容量結合単一電子トンネルデバイスによって検出出来る。検出器導電率の時間分解測定を用いて,温度に関するドット占有率統計を研究する。筆者等は検出器リード中の温度に比べてDQDs中の有効電子温度の著しい減少を観察する。本研究は長コヒーレンス量子計算用のプラットホームに適した絶縁されたDQDs形成を約束する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *量子ドット ,  半導体 ,  量子計算 ,  電子 ,  電気伝導率 ,  時間分解能 ,  *単一電子トンネル効果 ,  コヒーレンス ,  *添加物効果 ,  リン ,  電子温度
準シソーラス用語： *ダブル量子ドット ,  単一電子

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気絶縁 ,  Si ,  量子ドット ,  電子温度