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J-GLOBAL ID：201202229816771530   整理番号：12A1006068

炭化けい素MOSキャパシターにおける室温でのサブバンドギャップ光誘起キャリアー生成

Sub-Bandgap Light-Induced Carrier Generation at Room Temperature in Silicon Carbide MOS Capacitors

著者 (7件)： DASGUPTA Sandeepan (Sandia National Lab., NM, USA) ,  ARMSTRONG Andrew (Sandia National Lab., NM, USA) ,  KAPLAR Robert (Sandia National Lab., NM, USA) ,  MARINELLA Matthew (Sandia National Lab., NM, USA) ,  BROCK Reinhard (Sandia National Lab., NM, USA) ,  SMITH Mark (Sandia National Lab., NM, USA) ,  ATCITTY Stanley (Sandia National Lab., NM, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 441-444  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭化けい素 ,  MOSキャパシター ,  室温 ,  サブバンドギャップ ,  光誘起 ,  キャリアー生成