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J-GLOBAL ID：201202229902215900   整理番号：12A0790439

金属-酸化物-金属メムリスタにおける単極抵抗スイッチングのもっともらしい機構としての熱泳動/拡散

Thermophoresis/diffusion as a plausible mechanism for unipolar resistive switching in metal-oxide-metal memristors

著者 (3件)： STRUKOV Dmitri B. (Univ. of California Santa Barbara, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 93106, Santa Barbara, CA, USA) ,  ALIBART Fabien (Univ. of California Santa Barbara, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 93106, Santa Barbara, CA, USA) ,  STANLEY WILLIAMS R. (Hewlett-Packard Laboratories, NanoElectronics Res. Group, 94304, Palo Alto, CA, USA)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 107  号： 3  ページ： 509-518  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単極メムリスタのSET動作は,急峻な温度勾配内の原子,イオン,空格子点の拡散である,熱泳動またはSoret効果で説明できることを示した。この機構は,観察された抵抗スイッチングを,TiO₂や他の金属-酸化物ベース単極抵抗スイッチングで報告されている,導電性チャネル形成と分解によって説明する。デバイス内の温度分布に依存して,希釈空格子点が電子電流のJoule加熱によって起きる高温に向けて半径方向内向きに優先的に拡散され,主に凝縮し,導電性チャネルを形成する。RESET動作は温度は高いが勾配が小さい時にチャネルを離れた空格子点の半径方向拡散によって起きる。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *回路部品 ,  *スイッチング ,  *熱泳動 ,  *熱拡散 ,  空格子点 ,  Soret効果 ,  チャネル ,  温度勾配
準シソーラス用語： *MOM構造 ,  *メムリスタ ,  *抵抗スイッチング

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  メムリスタ ,  極 ,  抵抗スイッチング ,  熱泳動 ,  拡散