バルクから単層MoS<sub>2</sub>  ラマン散乱の漸進的変化

LI Hong; ZHANG Qing; YAP Chin Chong Ray; TAY Beng Kang; EDWIN Teo Hang Tong; OLIVIER Aurelien; BAILLARGEAT Dominique

文献

J-GLOBAL ID：201202229938506382 整理番号：12A0815803

バルクから単層MoS₂ ラマン散乱の漸進的変化

From Bulk to Monolayer MoS₂: Evolution of Raman Scattering

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資料名：
巻： 22 号： 7 ページ： 1385-1390 発行年： 2012年04月10日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

単層MoS₂を用いて作製した電界効果トランジスターが,高い移動度とオン-オフ比を示すことが報告されている。また,強いフォトルミネッセンス強度を示すことから極薄オプトエレクトロニクスへの応用が期待され,その評価法が必要とされている。本研究では,バルク試料および単層から5層までのフレーク試料に対してラマン分光による評価を行った。MoS₂フレークは,スコッチテープを用いた剥離により得た。E¹_2gおよびA_1gのラマン振動数はフレークの層数と共に単調に変化することを見出した。結果として,K点における電子遷移とA_1gフォノン間のカップリングは層数の減少と共に弱くなることを明らかにした。

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その他の無機化合物の薄膜 , セラミック・磁器の性質

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バルクから単層MoS2 ラマン散乱の漸進的変化

バルクから単層MoS₂ ラマン散乱の漸進的変化