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J-GLOBAL ID：201202230060154891   整理番号：12A1515552

2-トリデシル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン半導体層をもつ低電圧有機電界効果トランジスター

Low-Voltage Organic Field Effect Transistors with a 2-Tridecyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene Semiconductor Layer

著者 (5件)： AMIN Atefeh Y. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  KHASSANOV Artoem (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  REUTER Knud (Heraeus Precious Metals GmbH&Co. KG, Leverkusen, DEU) ,  MEYER-FRIEDRICHSEN Timo (Heraeus Precious Metals GmbH&Co. KG, Leverkusen, DEU) ,  HALIK Marcus (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 40  ページ： 16548-16550  発行年： 2012年10月10日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的な化学プロセスによって高性能有機半導体として容易に利用可能な,2-トリデシル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(C₁₃-BTBT)に関して報告した。原子間力顕微鏡法(AFM)およびX線反射率(XRR)を用いて,C₁₃-BTBTの多結晶質膜を調べた。異なる超薄ゲート誘電体を用いて有機電界効果トランジスター(OFET)を作製し,低-電圧動作を可能にし,異なるチャンネル界面に対するC₁₃-BTBT性能を示した。得られたデバイスは,17.2cm²/(V・s)までの大きな電荷キャリア移動度を示し,その性能は,誘電表面で最初のC₁₃-BTBT単分子膜の分子秩序へ影響を及ぼす,誘電表面に依存した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  原子間力顕微鏡 ,  反射率 ,  多結晶 ,  薄膜 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  *芳香族縮合化合物 ,  *硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： X線反射率 ,  単分子膜 ,  電荷移動度 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  *ベンゾチオフェン類

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 2-トリデシル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： ベンゾチオフェン ,  半導体層 ,  低電圧 ,  有機電界効果トランジスター