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J-GLOBAL ID：201202230065251186   整理番号：12A1524499

化学気相蒸着されたカーボンナノフレーク皮膜によるシリコンナノワイヤの電界放出と疎水特性の増強

Enhancement of field emission and hydrophobic properties of silicon nanowires by chemical vapor deposited carbon nanoflakes coating

著者 (4件)： BANERJEE D. (Nanoscience and Technol. Center, Jadavpur Univ., Kolkata 700 0032, IND) ,  DAS N.s. (Nanoscience and Technol. Center, Jadavpur Univ., Kolkata 700 0032, IND) ,  CHATTOPADHYAY K.k. (Nanoscience and Technol. Center, Jadavpur Univ., Kolkata 700 0032, IND) ,  CHATTOPADHYAY K.k. (Thin Film & Nanoscience Lab., Dep. of Physics, Jadavpur Univ., Kolkata 700 032, IND)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 261  ページ： 223-230  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直に整列したシリコンナノワイヤ(SiNW)を市販のp型シリコンウエハ基板上に化学エッチングプロセスにより合成した。合成直後のナノワイヤ表面を,プラズマ増強化学蒸着されたカーボンナノフレークにより改質した。全純および被覆されたSiNWは電界放出走査型電子顕微鏡,高解像度透過型電子顕微鏡,Raman分光計および光ルミネセンス分光計により特性評価した。純および炭素被覆されたSiNWの表面濡れ性を調べ,空隙率計算をCassieの方程式を用いて行った。被覆SiNWの疎水性が炭素の堆積時間によって変わり,3分間という堆積時間に対して,表面は超疎水性を示すことが見出された。炭素被覆SiNWs応用の万能性を示すために,その電子電界放出特性を調べた。結果はカーボンナノフレーク被覆後に放出特性が著しく改善され,ターンオン電界が9.30から2.77V/μmに引き下げられることを示した。この結果は,表面粗さが増し,高い反応係数,電子放出にとって好ましいバンド湾曲がもたらされ,外部電界をかけるのに障壁となる可能性あるものの相対的な除去によって説明された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  ウエハ【IC】 ,  エッチング ,  *プラズマCVD ,  ナノ構造 ,  フレーク ,  *炭素 ,  表面改質 ,  *電界放出 ,  電界放出アレイ ,  光ルミネセンス ,  空隙率 ,  濡れ ,  疎水性 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： Siウエハ ,  *シリコンナノワイヤ ,  ナノフレーク

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  カーボン ,  ナノフレーク ,  皮膜 ,  シリコンナノワイヤ ,  電界放出 ,  疎水特性 ,  増強