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J-GLOBAL ID：201202230080259630   整理番号：12A1122617

(Ga,Mn)As強磁性半導体における面内磁気異方性とスイッチング磁場の温度依存性

In-Plane Magnetic Anisotropy and Temperature Dependence of Switching Field in (Ga, Mn) as Ferromagnetic Semiconductors

著者 (9件)： KAMARA S. (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA) ,  TERKI F. (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA) ,  DUMAS R. ,  DEHBAOUI M. (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA) ,  DEHBAOUI M. (Centre universitaire de Medea, DZA) ,  SADOWSKI J. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  GALERA R.-M. (Inst. Neel, Grenoble, FRA) ,  TRAN Q.-H. (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA) ,  CHARAR S. (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 6  ページ： 4868-4873  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面Hall効果(PHE)を測定して,GaMnAs強磁性半導体の磁気異方性を調べた,磁場が立方H_c及び1軸H_u異方性磁場より低いとき,平面Hall抵抗(PHR)の様々な形状の磁場方向依存性を観測した。この違いは異なる磁気異方性から生じ,磁化反転過程の情報が得られる。自由エネルギー密度に基づく理論計算により,実験データを説明した。2軸から1軸への容易軸の転移を観測し,SQUID測定により確かめた。

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  ガリウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  ヒ化物 ,  *Hall効果 ,  磁場 ,  *磁気異方性 ,  磁化反転 ,  Helmholtz自由エネルギー ,  一軸磁気異方性 ,  SQUID ,  曲線 ,  保磁力 ,  ヒ化ガリウム ,  温度依存性
準シソーラス用語： スイッチング磁場 ,  磁化曲線

分類 (1件)： 磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  Mn ,  強磁性半導体 ,  面内磁気異方性 ,  スイッチング磁場 ,  温度依存性