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J-GLOBAL ID：201202230186994143   整理番号：12A1451716

Cr:GaN薄膜の光学特性,電子特性および磁気特性

Optical, electronic and magnetic properties of Cr:GaN thin films

著者 (7件)： MAJID Abdul (Dep. of Physics, Univ. of Gujrat, Gujrat, PAK) ,  DAR Amna (Dep. of Physics, Univ. of Gujrat, Gujrat, PAK) ,  NABI Azeem (Dep. of Physics, Univ. of Gujrat, Gujrat, PAK) ,  SHAKOOR Abdul (Dep. of Physics, Bahauddin Zkariya Univ., Multan, PAK) ,  HASSAN Najmul (Dep. of Physics, Hazara Univ., Mansehra, PAK) ,  JUNJUA Arshad (NILOP, Pakistan Inst. of Nuclear Sciences and Technol., Islamabad, PAK) ,  JIANJUN Zhu (Nano Fabrication Facility, Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-Bionics, CAS, CHN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 136  号： 2-3  ページ： 809-815  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： さまざまな実験技法および密度汎関数理論(DFT)系計算を用いてCrドーピングによって誘起されるウルツ鉱型GaNの光学特性および電子特性の改変を調べた。金属酸化物化学蒸着成長GaN/サファイヤ薄膜試料に300keVでCrイオンを注入して5×10¹⁴,5×10¹⁵および5×10¹⁶cm^-2の3つの異なる添加量を実現した。X線回折,原子間力顕微鏡法,分光エリプソメトリー,紫外可視分光光度法,Hallおよび振動試料磁力計測定を行って未加熱,アニール後およびアニール後注入GaN試料の構造特性,光学特性,電気特性および磁気特性を調べた。注入試料において材料のバンドギャップの添加量依存性の減少が観測された。これらの測定にもとづくこれらの材料の複素屈折率,誘電率,エネルギーバンドギャップおよびキャリア濃度を報告した。さらに,結果はホストGaN格子中のCrの置換を示した。純ウルツ鉱型GaNおよびCrドープウルツ鉱型GaNに関するGGAを用いるDFT計算によるバンド構造(BS)の結果も本論文において報告し,考察した。結果によるとGaCrNはオプトエレクトロニクスおよびスピントロニクスデバイス用の材料候補であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ドーピング ,  *クロム化合物 ,  *薄膜 ,  密度汎関数法 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  イオン注入 ,  バンド構造

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cr ,  GaN ,  薄膜 ,  光学特性 ,  電子 ,  磁気特性