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J-GLOBAL ID：201202230187481549   整理番号：12A1547929

(100)および(110)方位CMOSFETsによるランダム電信信号雑音現象の中性および魅力的トラップに関する包括的調査

Comprehensive Investigations on Neutral and Attractive Traps in Random Telegraph Signal Noise Phenomena using (100)- and (110)-Orientated CMOSFETs

著者 (4件)： CHEN J. (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  HIRANO I. (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TATSUMURA K. (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MITANI Y. (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2012  ページ： 141-142  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)および(110)方位CMOSFETs両方に関するランダム電信雑音(RTN)における中性トラップおよび魅力的トラップを系統的に良く区別して研究した。すなわち,中性トラップおよび魅力的トラップの分布図を各々,区別してプロットした。正孔トラップは界面から遠くであり,中性トラップエネルギー分布は魅力的トラップより高い。さらに,平均エネルギーシフト値は60~100meVであることが分かった。重要なのは,中性トラップは閾値電圧ΔV_thを非常に高くすることである。

シソーラス用語： 電子 ,  捕獲 ,  *MOSFET ,  CMOS構造 ,  結晶方位 ,  キャリア捕獲 ,  正孔
準シソーラス用語： トラップ【固体】 ,  *CMOSFET ,  ランダム電信信号雑音

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 方位 ,  電信 ,  雑音 ,  現象 ,  中性 ,  魅力 ,  トラップ ,  調査