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J-GLOBAL ID：201202230290913112   整理番号：12A0583506

マルチフェロイックヘテロ構造における電圧インパルスで誘起される双安定磁化反転

Voltage impulse induced bistable magnetization switching in multiferroic heterostructures

著者 (8件)： NAN T. X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA) ,  ZHOU Z. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA) ,  LOU J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA) ,  LIU M. (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  YANG X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA) ,  GAO Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA) ,  RAND S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA) ,  SUN N. X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts 02115, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 13  ページ： 132409-132409-3  発行年： 2012年03月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,FeGaB/ジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)マルチフェロイックヘテロ構造について,室温での衝撃電圧誘起の可逆的双安定磁化反転について報告する。この反転は,強誘電性PZTと強磁性FeGaB層間の,歪を介した磁気電気結合を通して実現した。可逆的で安定な衝撃電圧誘起の二つの機械的歪状態を,PZT内に抗電場よりも小さな振幅の電場インパルスを印加することで得て,それが,可逆的衝撃電圧誘起の双安定磁化反転をもたらした。このマルチフェロイックヘテロ構造における衝撃電圧誘起双安定磁化反転は,情報蓄積に極めて重要な,電力効率の良い双安定磁化反転への有望なアプローチを与えることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 材料 ,  *磁気電気効果 ,  素子構造 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *磁化反転 ,  *強誘電体 ,  *強磁性体 ,  *鉄合金 ,  ガリウム含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  衝撃電圧 ,  複合材料
準シソーラス用語： マルチフェロイック ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチフェロイック ,  ヘテロ構造 ,  インパルス ,  誘起 ,  双安定 ,  磁化反転