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J-GLOBAL ID：201202230302492576   整理番号：12A1637329

トリメチルアルミニウム,ヘキサキス(エチルアミノ)ジシラン,および水からのAl_xSi_yO_zの原子層デポジションに関するin situ反応メカニズム研究

In Situ Reaction Mechanism Studies on Atomic Layer Deposition of Al_xSi_yO_z from Trimethylaluminium, Hexakis(ethylamino)disilane, and Water

著者 (8件)： TOMCZAK Yoann (Univ. Helsinki, FIN) ,  KNAPAS Kjell (Univ. Helsinki, FIN) ,  HAUKKA Suvi (ASM Microchemistry Ltd., Helsinki, FIN) ,  KEMELL Marianna (Univ. Helsinki, FIN) ,  HEIKKILAE Mikko (Univ. Helsinki, FIN) ,  CECCATO Marcel (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  LESKELAE Markku (Univ. Helsinki, FIN) ,  RITALA Mikko (Univ. Helsinki, FIN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 20  ページ： 3859-3867  発行年： 2012年10月23日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200°Cでの水晶微量天秤(QCM)および四重極質量分析(QMS)を用いて,Al_xSi_yO_zのためのAl(CH₃)₃(TMA)-D₂O-Si₂(NHEt)₆-D₂O原子層デポジション(ALD)プロセスにおける反応メカニズムをin situ研究し,ALDサイクルの各ステップで反応する配位子の数の精密な定量化をおこなった。得られた結果から,混合酸化物を含んだシリコンのALDのための酸素源として水が使用できる可能性が確認され,他の金属酸化物はシリコン結合種の水との反応を促進させた。Si₂(NHEt)₆およびTMAの水とのおよびお互いに対する反応性を評価するために,2つの他のデポジションプロセスも研究した。実験結果から最も可能性のある経路には,先駆物質の両方のSi原子の表面への結合およびそれらの間でのSi-Si結合の劈開が含まれ,Si-D結合の生成を伴った。さらに,XPSによって膜中への炭素の実質的な組み込みが観察され,FT-IR結果もシリコン原子へ結合したメチル基として膜中に炭素が存在することを示した。これは一部分はSi₂(NHEt)₆先駆物質の水との不完全な反応のためであり,TMAの-CH₃配位子との交換を生じた。これらの定性的な結果に基づき,モデルを作成しより定量的に反応メカニズムを評価した。

シソーラス用語： ジシラン誘導体 ,  有機アルミニウム化合物 ,  重水 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *酸化物 ,  *化学蒸着 ,  化学合成 ,  反応機構 ,  表面構造 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： その場合成 ,  *原子層堆積 ,  *混合酸化物

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

物質索引 (2件)： トリメチルアルミニウム ,  ヘキサキス(エチルアミノ)ジシラン

タイトルに関連する用語 (8件)： トリメチルアルミニウム ,  ヘキサキス ,  ジシラン ,  水 ,  原子層 ,  ポジション ,  反応メカニズム ,  研究