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J-GLOBAL ID：201202230315524990   整理番号：12A0437046

シリコン上でのYSZ薄膜の面横断伝導率の測定

Measurement of the across-plane conductivity of YSZ thin films on silicon

著者 (5件)： NAVICKAS E. ,  GERSTL M. ,  FRIEDBACHER G. ,  KUBEL F. ,  FLEIG J.
資料名： Solid State Ionics  (Solid State Ionics)
巻： 211  ページ： 58-64  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： B0096B  ISSN： 0167-2738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数十ナノメートル厚さのイオン伝導薄膜上での面横断伝導率の測定は層中でピンホールによる短絡が頻繁に起こるので意欲をかき立てる。本寄稿で,厚さ20nm程度のイットリア安定化ジルコニア(YSZ)上での面横断伝導率測定を可能にする方法を提唱する。薄い天然シリカ中間層を有するシリコン基板上にYSZ層を調製し面横断伝導率を円形微小電極上でインピーダンススペクトルにより測定した。このシリカ中間層は強い遮蔽挙動を示し,ピンホールによる短絡を回避するのに役立つ。YSZ及びシリカの異なる緩和周波数はこれらの層の分離を可能にする。等価回路を提案し,それはYSZの性質の抽出を可能にし,その妥当性を微小電極径と層厚さ変えることにより証明する。全パラメーターは予測される挙動をもたらす。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *セラミック ,  *酸化イットリウム ,  *酸化ジルコニウム ,  *薄膜 ,  電気伝導率 ,  レーザ蒸着 ,  微小電極 ,  層 ,  周波数 ,  等価回路 ,  インピーダンススペクトル ,  Arrheniusの式 ,  原子間力顕微鏡 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *YSZ【セラミック】 ,  イオン伝導率 ,  *シリコン基板 ,  緩和周波数 ,  中間層

分類 (2件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  YSZ ,  薄膜 ,  伝導率