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J-GLOBAL ID：201202230346497567   整理番号：12A0777791

テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAH),オゾン,及び水蒸気によるHfO₂の原子層堆積における基本化学反応のIR研究

IR study of fundamental chemical reactions in atomic layer deposition of HfO₂ with tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH), ozone, and water vapor

著者 (8件)： HIROSE F. (Graduate school of Sci. and Engineering, Yamagata Univ. 4-3-16 Joonan, Yonezawa 992-8510, JPN) ,  KINOSHITA Y. (Graduate school of Sci. and Engineering, Yamagata Univ. 4-3-16 Joonan, Yonezawa 992-8510, JPN) ,  KANOMATA K. (Graduate school of Sci. and Engineering, Yamagata Univ. 4-3-16 Joonan, Yonezawa 992-8510, JPN) ,  MOMIYAMA K. (Graduate school of Sci. and Engineering, Yamagata Univ. 4-3-16 Joonan, Yonezawa 992-8510, JPN) ,  KUBOTA S. (Graduate school of Sci. and Engineering, Yamagata Univ. 4-3-16 Joonan, Yonezawa 992-8510, JPN) ,  HIRAHARA K. (Graduate school of Sci. and Engineering, Yamagata Univ. 4-3-16 Joonan, Yonezawa 992-8510, JPN) ,  KIMURA Y. (RIEC, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Sendai 980-8577, JPN) ,  NIWANO M. (RIEC, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 19  ページ： 7726-7731  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温Si(100)表面での,前駆体テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAH),オゾン,及び水蒸気によるHfO₂原子層堆積における基本反応を,赤外吸収分光(IRAS)により研究した。IRAS結果は,TEMAHが,室温においてSi表面のOHサイトに吸着できることを示した。オゾン照射は,TEMAH吸着の過程で導入されるヒドロアミノカーボン吸着体を効果的に除去した。更なる吸着では,約160°Cでの水蒸気処理が,吸着サイトの回復に効果的であった。IR研究は,この循環過程が,連続的なHfO₂堆積を可能にすることを示唆した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  前駆体 ,  *水蒸気 ,  赤外吸収スペクトル ,  結合部位 ,  *ハフニウム錯体 ,  有機ハフニウム化合物 ,  MOCVD ,  *オゾン ,  ウエハ【IC】 ,  吸着 ,  *表面反応 ,  高k誘電体 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  *原子層堆積 ,  Si基板

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

物質索引 (1件)： エチルメチルアミン

タイトルに関連する用語 (9件)： テトラ ,  ハフニウム ,  オゾン ,  水蒸気 ,  HfO2 ,  原子層堆積 ,  化学反応 ,  Ir ,  研究