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J-GLOBAL ID：201202230366512066   整理番号：12A0508521

化学的に沈着させたBi₂S₃薄膜とBi₂S₃/P3OT太陽電池の光起電力性能

Optoelectronic properties of chemically deposited Bi₂S₃ thin films and the photovoltaic performance of Bi₂S₃/P3OT solar cells

著者 (4件)： PINEDA Edwin (Centro de Investigacion en Energia, UNAM, Priv.Xochicalco S/N, Temixco 62580, Morelos, MEX) ,  NICHO Ma. Elena (Centro de Investigacion en Ingenieria y Ciencias Aplicadas, UAEM, Av. Universidad 1001, Cuernavaca, Morelos, MEX) ,  NAIR P.k. (Centro de Investigacion en Energia, UNAM, Priv.Xochicalco S/N, Temixco 62580, Morelos, MEX) ,  HU Hailin (Centro de Investigacion en Energia, UNAM, Priv.Xochicalco S/N, Temixco 62580, Morelos, MEX)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 86  号： 4  ページ： 1017-1022  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜硫化ビスマス(Bi₂S₃),導電性すずドープ酸化インジウム(ITO)ガラス基板上に化学析出によって調製した,は厚さによって光学的バンドギャップの変化を示した:50nm薄膜(40°C沈着30分)に於ける1.8eVから2時間200nm薄膜における1.5eV。Bi₂S₃化合物の電気陰性度は5.3eV,元素BiとSのイオン化エネルギーと電子親和力から推定した,そして化学的に沈着したBi₂S₃薄膜の電子親和力は4.5eVと推定された。ITO/Bi₂S₃/P3OT/Au構造のエネルギーレベル解析でBi₂S₃が電子受容体として確定された。ITO/Bi₂S₃/P3OT/Au太陽電池構造を作るために,ポリ3-オクチルチオフェン(P3OT),実験室で調製した,をトルエンに溶解しBi₂S₃薄膜上にドロップキャストし金薄膜を熱的に蒸着させた。ITO-サイドからの100mW/cm²タングステン-ハロゲン放射の下で,50nmの厚みを持つこのBi₂S₃薄膜を使った電池は,最大の開回路電圧(V_oc)440mVと短絡回路電流密度(J_sc0.022mA/cm²を持った。ITOとB₂S₃間へのCdS薄膜(90nm)添加がV_ocを480mV,J_scを0.035mA/cm²にする様であった。この接合の光起電力性能におけるBi₂S₃薄膜の表面形態とオプトエレクトロニクスに於ける役割を論じた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *硫化物 ,  薄膜 ,  *太陽電池 ,  光起電力 ,  *製品開発 ,  *キャラクタリゼーション ,  ガラス ,  酸化インジウム ,  基板 ,  電気装置部品 ,  依存性 ,  電気陰性度 ,  イオン化ポテンシャル ,  電子親和力 ,  金 ,  ポリアルキルチオフェン ,  アクセプタ ,  タングステン
準シソーラス用語： *硫化ビスマス ,  導電性ガラス ,  ガラス基板 ,  厚さ依存性 ,  イオン化エネルギー ,  ポリオクチルチオフェン ,  電子受容体

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O)

物質索引 (1件)： 3-オクチルチオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  沈着 ,  薄膜 ,  P3OT ,  太陽電池 ,  光起電力