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J-GLOBAL ID：201202230632257220   整理番号：12A0852211

ナノスケールのはんだ材料の評価

Characterization of nanoscaled solder material

著者 (2件)： NOVIKOV Andrej (Univ. Rostock, Rostock, DEU) ,  NOWOTTNICK Mathias (Univ. Rostock, Rostock, DEU)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 5  ページ： 819-824  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋な錫のナノスケールの層の性質を調べた。10から100nm厚の層をスパッタリングで形成した。表面トポグラフィーとプロセスパラメータのスパッタ速度への影響を走査型電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた。酸化を防ぐためにカーボンと窒化シリコン保護層を同じプロセスチャンバー中でスパッタした。このコーティングの機能をX線回折(XRD)で調べた。窒化シリコンで覆われた錫層をスパッタ後,溶融過程そして冷却過程で直接観測した。冷却後の錫膜の結晶と酸化錫のピークが無いことを酸素の不浸透性の指標として用いた。位相の変化を調べるために,チップの示差熱量測定(DSC)を用いた。試料はDSCチップの再利用のためにスタンドアロン試料として準備され,同様に単独使用のためにDSCチップ上に直接スパッタされた。10nmまでスケールダウンした単層と複層の錫を有する試料を用意しこの方法で調べた。

シソーラス用語： 規模 ,  *はんだ ,  *スパッタ蒸着 ,  トポグラフィー【形態】 ,  プロセスパラメータ ,  原子間力顕微鏡 ,  *保護膜 ,  X線回折 ,  炭素 ,  窒化ケイ素 ,  示差走査熱量測定 ,  *結晶化 ,  *スズ ,  熱分析 ,  *耐酸化性 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： ナノスケール ,  表面トポグラフィー ,  DSC【熱量測定】 ,  熱量分析

分類 (1件)： 接続部品  (NA05050Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノスケール ,  はんだ材料 ,  評価