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J-GLOBAL ID：201202230678608125   整理番号：12A1092716

16nmのハーフピッチ用のEUVレジストの開発

Development of EUV Resist for 16nm Half Pitch

著者 (3件)： SUGI Ryuji (JSR Corp., Mie, JPN) ,  SHIMIZU Makoto (JSR Corp., Mie, JPN) ,  KIMURA Tooru (JSR Corp., Mie, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 25  号： 5  ページ： 603-607  発行年： 2012年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUV曝露での16nm以上のハーフピッチを解像するため,レジスト用だけでなく下層材料用にまでもの新素材を開発した。レジストに関しては,短い酸拡散距離の光酸発生剤(PAG)を高解像度用に開発した。下層に関しては,高い接触角(CA)を有する新しい材料が,最小特徴寸法の焼き付けに関してラインへこみマージンを改善していた。その結果,下層のCAが解像度改善用の重要因子の1つである,ことを見付けた。更に,現像時間の影響を検討し解像度を改善した。短い現像時間が長いものに比べて解像度改善を得ていた。最後に,これ等の結果の組合せを検討した。結果的に,JSR EUVレジストが15nmのハーフピッチ解像度の可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *高分解能 ,  *フォトレジスト ,  極端紫外線 ,  *光酸発生剤 ,  *酸 ,  *拡散距離 ,  *下層 ,  接触角 ,  現像 ,  加工時間 ,  最適化
準シソーラス用語： *EUVレジスト ,  *高解像度 ,  組合せ最適化

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  重合触媒,重合開始剤  (CG04070V) ,  固-液界面  (CB12050B)

引用文献 (7件)：

• 1. ITRS website, http://www.itrs.net/
• 2. K. Maruyama, M. Shimizu, Y. Hirai, K. Nishino, T. Kimura, T. Kai, K. Goto, and S. Sharma,Development of EUV resist for 22nm half pitch and beyond, Proc. SPIE 7636 (2010) 76360T.
• 3. K. Nishino, K. Maruyama, T. Kimura, T. Kai, K. Goto, and S. Sharma, Development of EUV resist for 22nm half pitch and beyond, Proc. SPIE 7969 (2011) 796921.
• 4. H. Nakagawa, T. Fujisawa, K. Goto, T. Kimura, T. Kai, and Y. Hishiro, Ultra-thin-film EUV resists beyond 20nm lithography, Proc. SPIE 7972 (2011) 797211.
• 5. J. H. Kim, C. H Lee, S. B. Park, W. M. Kim, S. S. Moon, K-M Kim, S. Y. Lee, S. Yoon, Y.-H. Kim, and S. M. Chon, " Influence of activation energy on LER in chemically amplified KrF photoresists," Proc. SPIE 5376 (2004) 790.

タイトルに関連する用語 (3件)： ハーフピッチ ,  EUVレジスト ,  開発