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J-GLOBAL ID：201202230702579395   整理番号：12A0524452

バンドギャップエンジニアリングが高kを用いたナノスケール電荷捕獲フラッシュメモリの性能と信頼性におよぼす影響

Effect of bandgap engineering on the performance and reliability of a high-k based nanoscale charge trap flash memory

著者 (9件)： ZHU Chenxin (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XU Zhongguang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  HUO Zongliang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHENG Zhiwei (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CUI Yanxiang (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Yumei (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Jing (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI Fanghua (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Ming (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 6  ページ： 065104,1-6  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュメモリとして用いるHfO₂/Al₂O₃/HfO₂(HAH)多層膜構造の膜厚を調節した三種類の試料を作成して,そのバンドギャップ変化とナノスケールでの電荷捕獲特性を調べ,単一HfO₂捕獲層を用いた構造と比較した。その結果,Al₂O₃層を挿入した5/2/5nmのHAH多層構造では,単一HfO₂層構造より界面からの電荷捕獲能力が増強されることがわかった。例えば,ともに12V,0.1sのプログラム書き込み条件下でのメモリ窓は,単一HfO₂層素子の3Vに対して,HAH5/2/5nm構造では7.8Vと大幅に増強された。また,Al₂O₃中間層の位置を変化させて,プログラム/消去(P/E)速度と保持特性に与える影響も調べた。本研究から,将来的な電荷捕獲フラッシュメモリの設計に役立つ情報を得ることができた。

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *誘電体 ,  キャリア捕獲 ,  フラッシュメモリ ,  *工学 ,  酸化ハフニウム ,  酸化アルミニウム
準シソーラス用語： *高k誘電体 ,  電荷捕獲 ,  *エンジニアリング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノスケール ,  電荷捕獲 ,  フラッシュメモリ