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J-GLOBAL ID：201202230745551311   整理番号：12A0582067

2 -接触デバイスの移動度と相関した特別な磁気抵抗効果の強い温度依存

Strong Temperature Dependence of Extraordinary Magnetoresistance Correlated to Mobility in a Two-Contact Device

著者 (4件)： SUN Jian (King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU) ,  PATIL Samadhan B. (King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU) ,  SOH Yeong-Ah (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  KOSEL Juergen (King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 3  ページ： 033002.1-033002.3  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2-接触 特別磁気抵抗効果(EMR)デバイスを作り,いろいろな温度で異なる方向に適用した磁場下で評価した。温度範囲を横断した大きい性能変化を見つけた。これは,EMR効果の移動度への強い依存による。デバイスは,75Kで垂直に適用した場で562Ω/Tの最高感度を示した。半導体と金属シャントの間の重複のために,デバイスは,また,垂直場への感度のおよそ20~25%のより低い感度で平面場に敏感である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *移動度 ,  相関 ,  *磁気抵抗 ,  温度 ,  磁場 ,  垂直 ,  平面 ,  感度 ,  接合

分類 (1件)： 磁性理論  (BM06020X)

引用文献 (11件)：

• SOLIN, S. A. Science. 2000, 289, 1530
• MOLLER, C. H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3343
• HOLZ, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 072513
• MOUSSA, J. Phys. Rev. B. 2001, 64, 184410
• ROWE, A. C. H. Phys. Rev. B. 2005, 71, 235323

タイトルに関連する用語 (4件)： 移動度 ,  相関 ,  磁気抵抗効果 ,  温度依存