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J-GLOBAL ID：201202230793668794   整理番号：12A0871145

GaAsマイクロマシニングによる間接加熱型マイクロ波パワーセンサの最適化

Optimization of Indirectly-Heated Type Microwave Power Sensors Based on GaAs Micromachining

著者 (3件)： WANG De Bo (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LIAO Xiao Ping (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LIU Tong (Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 12  号： 5-6  ページ： 1349-1355  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波通信や産業エレクトロニクスの場面でマイクロ波パワー測定の需要が増えている。広い周波数帯へのインピーダンス整合とディジタルディスプレイから間接加熱型マイクロ波パワーセンサが広く使われ,モノリシックIC化のために間接加熱型マイクロ波パワーセンサの低電力化,小型化,高性能化が要求されている。GaAsマイクロマシニングによるマイクロ波パワーセンサの微細構造を最適化した。小型化,整合特性,感度特性,高性能化のトレードオフを考慮して,間接加熱型マイクロ波パワーセンサの寸法はサーモパイルの長さが200μm,抵抗とサーモパイルの間隔10μmが最適とした。最適化したパワーセンサは非常に良いRF-DC直線性を持ち,応答時間は6msである。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  マイクロマシニング ,  最適化 ,  *マイクロ波 ,  加熱 ,  微細構造 ,  熱電対 ,  応答時間
準シソーラス用語： GaAs ,  サーモパイル ,  *パワーセンサ ,  間接加熱

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  マイクロマシニング ,  間接加熱 ,  マイクロ波 ,  パワー ,  最適化