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J-GLOBAL ID:201202230885046536   整理番号:12A0652682

還元された酸化グラフェンベースの高分子コンポジットおよびn-型Siに基づくヘテロ接合ダイオードの電流輸送メカニズム

Current transport mechanism of heterojunction diodes based on the reduced graphene oxide-based polymer composite and n-type Si
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巻: 100  号: 15  ページ: 153509-153509-4  発行年: 2012年04月09日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究はn-型Siおよび還元された酸化グラフェン(RGO)を有するポリ(4-スチレンスルフォン酸塩)をドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT:PSS)に基づくヘテロ接合ダイオードの製作および詳細な電気的性質を報告している。このヘテロ接合ダイオードは理想因子1.2を有する良好な整流挙動を示した。RGOを有するコンポジットPEDOT:PSS薄膜に対する電荷トラッピング効果およびドーピングメカニズムを説明する光電流減衰モデルが与えられている。PEDOT:PSS中ににRGOを組み込むことにより,増強した暗伝導度が観測された。ヘテロ接合の高い光電流密度は長寿命の電子トラッピングと結びついた効率的なホール輸送に起因するものである。(翻訳著者抄録)
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ダイオード 

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