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J-GLOBAL ID：201202230952815019   整理番号：12A0777514

単一ソース単一電子相補型4ビットマルチプレクシングナノ回路の設計とシミュレーション

Design and simulation of single-source single-electron complementary 4-bit multiplexing nano-circuits

著者 (3件)： AMMAR Abeer I. (Communications and Electronics Engineering Dep., Mansoura Univ., Egypt) ,  REHAN Sameh E. (Communications and Electronics Engineering Dep., Mansoura Univ., Egypt) ,  ABDEL-FATTAH Abdel-fattah I. (Communications and Electronics Engineering Dep., Mansoura Univ., Egypt)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 43  号： 7  ページ： 473-483  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子トランジスタ(SET)と線形閾値ゲート(LTG)は基本的な機能単一電子ナノデバイス(SEND)である。本論文において,この基本的SENDを使用して単一ソース(SS)単一電子(SE)相補型4ビット(4-1)マルチプレクサを設計した。この設計を以前に報告した多重ソースSE相補型4ビットマルチプレクサと比較した。また,最初に報告されたSS SE相補型4ビットデマルチプレクサも紹介した。設計されたSE 4ビットマルチプレクサ/デマルチプレクサの詳細な図式ダイヤグラムと対応するシミュレーション結果を図解した(SIMON2.0とSECSモンテカルロSEシミュレータを使用)。シミュレーション結果には,入力,制御,および出力信号;自由エネルギーと安定性ダイヤグラム;さらに最大許容信号周波数が含まれる。推定される遅延とエネルギー消費を計算し,その結果を述べた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 多重化 ,  *多重装置 ,  分波器 ,  *単一電子トランジスタ ,  ゲート回路 ,  固体素子 ,  ソース【半導体】 ,  *シミュレーション ,  自由エネルギー ,  安定性 ,  遅延特性 ,  エネルギー消費
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  *モンテカルロシミュレーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (7件)： ソース ,  単一電子 ,  4ビット ,  マルチプレクシング ,  ナノ回路 ,  設計 ,  シミュレーション