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J-GLOBAL ID：201202230957117441   整理番号：12A1327988

アニールしたアモルファスSiC単一層およびアモルファスSi/SiC多重層からのエレクトロルミネセンスの比較研究

Comparative study of electroluminescence from annealed amorphous SiC single layer and amorphous Si/SiC multilayers

著者 (7件)： RUI Yunjun (School of Electronic Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  RUI Yunjun (Dep. of Applied Physics, Nanjing Univ. of Technol., Nanjing 210009, CHN) ,  LI Shuxin (School of Electronic Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  XU Jun (School of Electronic Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  CAO Yunqing (School of Electronic Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  LI Wei (School of Electronic Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  CHEN Kunji (School of Electronic Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2114-2117  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si量子ドット(Si QD)薄膜を,アモルファスSiC単一層およびプラズマ増強化学蒸着系で構築したアモルファスSi/SiC多重層をアニールして調製した。両試料に対して,ミクロ構造はRamanスペクトルおよびFTIRによってキャラクタリゼーションを行った。アニール処理後,平均サイズ2.7nmのSi QDが生成した。室温で650nm中心にエレクトロルミネセンス(EL)帯を観測した。Si/SiC多重層からのEL強度は明らかに一桁改善され,対応のEL帯幅はSiC単一層薄膜からのそれと比較して減少していた。改良されたエレクトロルミネセンスの挙動はより密なSi QDの生成,サイズ分布の良好さ,および多重層構造におけるキャリアの強い閉じ込め効果に起因する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  炭化ケイ素 ,  単一層 ,  焼なまし ,  多層 ,  *エレクトロルミネセンス ,  量子ドット ,  薄膜 ,  プラズマCVD ,  微細構造 ,  Ramanスペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  キャリア ,  透過型電子顕微鏡 ,  水素化物 ,  Fowler-Nordheimトンネリング
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  TEM ,  アニール処理 ,  サイズ分布 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  ミクロ構造 ,  水素化アモルファスシリコン ,  多重層

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： アニール ,  アモルファス ,  SiC ,  単一層 ,  アモルファスSi ,  多重層 ,  エレクトロルミネセンス ,  研究