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J-GLOBAL ID:201202231006340910   整理番号:12A1337088

熱電デバイス応用のためのNi,Co,Fe,MnドープCu0.01Bi2Te2.7Se0.3の輸送特性

Transport properties of Ni, Co, Fe, Mn doped Cu0.01Bi2Te2.7Se0.3 for thermoelectric device applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 112  号:ページ: 054509-054509-5  発行年: 2012年09月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Bi2Te3主体の熱電デバイスでは電極から熱電材料への半田または銅原子の拡散を阻止するために通常ニッケル層を拡散バリアとして使用する。以前の研究では,これら熱電デバイスの効率の劣化はバリア層の熱電材料への拡散によるかもしれないということを示した。本研究ではNi,Co,Fe,およびMnをそれらの熱電材料への影響を理解するために,Cu0.01Bi2Te2.7Se0.3に意図的にドープした。Cu0.01Bi2Te2.7Se0.3M0.02として2at.%のM(M=Ni,Co,Fe,Mn)でドープしたCu0.01Bi2Te2.7Se0.3のSeebeck効果,熱伝導率,電気抵抗率,キャリア濃度,およびキャリア移動度を5~525Kの温度範囲で研究する。Ni,Co,Fe,およびMnの導入は全体的な利得には影響を及ぼさないことがわかり,それゆえ拡散バリアは以前仮定したようにデバイスの劣化を導出しないことを実証する。電気的および機械的特性の両方に関してCoが最も優れた拡散バリア候補であるが,これらの元素のいくつかを拡散バリアとして使用できる。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
熱電デバイス  ,  金属の電子伝導一般  ,  金属中の拡散 

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