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J-GLOBAL ID：201202231102347373   整理番号：12A1589451

シリコン及びガラスインターポーザ上の高k薄膜デカップリングコンデンサの低コスト方式

A Low-Cost Approach to High-k ThinFilm Decoupling Capacitors on Silicon and Glass Interposers

著者 (6件)： GANDHI Saumya (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  XIANG Shu (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  RAJ P. Markondeya (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  SUNDARAM Venky (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  SWAMINATHAN Madhavan (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  TUMMALA Rao (Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.2  ページ： 1356-1360  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高機能化などの要求から半導体産業は3D ICベースシリコン集積化へ変わってきたが,TSVプロセスの高コスト,熱管理などの問題がある。Georgia Techではガラスや多結晶シリコンを用いた低コストのスルーパッケージビア(TPV)プロセスを研究している。本稿では,シリコン及びガラスインターポーザ上の新規低コスト薄膜コンデンサ技術を検討した。銅,ニッケル電極とスパッタリングで作製したチタン酸バリウムの誘電体で高密度コンデンサを作製した。電気容量と損失正接を測定した,SEM観察とX線回折で誘電膜を特性評価した。この結果により,本手法はシリコン及びガラスインターポーザ上に低インダクタンスで良好なコンデンサを作製できることを示した。

シソーラス用語： *誘電材料 ,  *コンデンサ ,  *固体回路部品 ,  薄膜コンデンサ ,  ケイ素 ,  ガラス ,  インダクタンス ,  X線回折 ,  損失正接 ,  チタン酸バリウム ,  走査電子顕微鏡 ,  原価 ,  静電容量
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  インターポーザ ,  シリコン ,  デカップリングコンデンサ ,  高k材料 ,  低コスト ,  電気容量

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ガラス ,  インターポーザ ,  薄膜 ,  デカップリングコンデンサ