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J-GLOBAL ID：201202231128820590   整理番号：12A0655685

多孔性シリコンを用いたレイヤトランスファーによる19%の効率の薄膜結晶シリコン太陽電池:三次元シミュレーションによる損失の解析

19% Efficient Thin-Film Crystalline Silicon Solar Cells From Layer Transfer Using Porous Silicon: A Loss Analysis by Means of Three-Dimensional Simulations

著者 (6件)： PETERMANN Jan Hendrik (Inst. Solar Energy Res. Hamelin, Emmerthal, DEU) ,  OHRDES Tobias (Inst. Solar Energy Res. Hamelin, Emmerthal, DEU) ,  ALTERMATT Pietro P. (Leibniz Univ. Hanover, Hannover, DEU) ,  EIDELLOTH Stefan (Inst. Solar Energy Res. Hamelin, Emmerthal, DEU) ,  BRENDEL Rolf (Inst. Solar Energy Res. Hamelin, Emmerthal, DEU) ,  BRENDEL Rolf (Leibniz Univ. Hanover, Hannover, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 4  ページ： 909-917  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔性Siのレイヤトランスファープロセスによって作製した両面接触Si太陽電池(SC)の損失を解析した。このSC構造は,passivated emitter and rear cell設計に基づく。エレクトロルミネセンス,量子効率の測定,及び三次元シミュレーションにより,様々な裏面接触形状による実験結果を特性化した。このデバイスシミュレーションは金属被膜の電気抵抗を含まないので,ネットワークシミュレーションによって格子に起因する損失を考慮した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  エネルギー変換効率 ,  多孔質シリコン ,  *エネルギー損失 ,  シミュレーション ,  計算機シミュレーション ,  ドーピング ,  解析モデル
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  ネットワークシミュレーション ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  再結合速度 ,  三次元シミュレーション ,  薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多孔性シリコン ,  薄膜 ,  結晶シリコン太陽電池 ,  三次元シミュレーション ,  損失 ,  解析