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J-GLOBAL ID：201202231130544044   整理番号：12A1516020

有機金属化学蒸着によって合成したトポロジカル絶縁体のBi₂Te₃薄膜

Topological insulator Bi₂Te₃ films synthesized by metal organic chemical vapor deposition

著者 (8件)： CAO Helin (Physics Dep., Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  VENKATASUBRAMANIAN Rama (Center for Solid State Energetics, RTI International, Res. Triangle Park, North Carolina 27709, USA) ,  LIU Chang (Joseph Henry Laboratories, Dep. of Physics, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  PIERCE Jonathan (Center for Solid State Energetics, RTI International, Res. Triangle Park, North Carolina 27709, USA) ,  YANG Haoran (School of Chemical Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  ZAHID HASAN M. (Joseph Henry Laboratories, Dep. of Physics, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  WU Yue (School of Chemical Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  CHEN Yong P. (Physics Dep., Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 16  ページ： 162104-162104-4  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,Bi₂Te₃およびBi₂Se₃のようなトポロジカル絶縁体(TI)材料に強い関心が寄せられている。TIを基本とする素子の開発には,大型で,高品質のTI薄膜の合成が重要である。本研究では,有機金属化学蒸着(MOCVD)によって,GaAs(001)基板上に堆積したBi₂Te₃薄膜の構造と電子特性を,x線回折法(XRD),Raman分光法,角度分解光電子分光法(ARPES)および電子輸送測定によって評価した。ARPESによって測定された電子バンド構造において,単一のDirac円錐を持つ固有のトポロジカル表面状態が明らかにされ,MOCVD法で堆積したBi₂Te₃薄膜の持つTI特性が確認された。抵抗率およびHall効果測定によって,比較的大きいバルクのキャリア移動度が確認され,300Kにおいて350cm²/Vs,そして15Kでは7400cm²/Vs程度であることが分かった。また,薄膜のSeebeck係数も測定した。簡単で,拡張可能な方法によって高品質のトポロジカル絶縁体薄膜の成長が可能になったことは,熱電特性を有するTI材料の基礎的な研究と実用という観点から非常に興味深い。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  セレン化物 ,  MOCVD ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  表面準位 ,  *電気抵抗率 ,  *Hall効果 ,  輸送係数 ,  熱起電力 ,  キャリア移動度 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ARPES ,  Diracコーン ,  Seebeck係数 ,  セレン化ビスマス ,  *テルル化ビスマス

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機金属化学蒸着 ,  トポロジカル絶縁体 ,  薄膜