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J-GLOBAL ID:201202231185377384   整理番号:12A0111511

アークプラズマ加熱により炭化ケイ素中に作成したSiC/Cナノケーブル構造

SiC/C nanocable structure produced in silicon carbide by arc plasma heating
著者 (1件):
資料名:
巻: 106  号:ページ: 99-104  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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グラファイトアークの特別設計配置によるdcアークプラズマ(Ar)を用いて3000°CでSiC粉末を加熱して,欠陥がなく長いSiC/Cナノケーブルを作成した。TEM,HRTEM,SAED,EDS,顕微Raman分光法によって行った熱処理粉末の微細構造特徴評価により,ナノケーブルが,ワイヤ型固体Cコアで充填されたSiCシェル/シースから構成される事を示した。ケーブル型成長を説明する可能な機構を検討した。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.
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