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文献
J-GLOBAL ID:201202231221554808   整理番号:12A1028336

離散的ドーパント分布の制御による半導体素子の性能増強

Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution
著者 (7件):
資料名:
巻: 20  号: 36  ページ: 365205 (5 PP.)  発行年: 2009年
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体素子はナノメートルレベル以下のスケールなので,少数のドーパント原子により引き起こされた伝導チャンネルでのランダムなドーパント搖動は素子性能に著しく影響を及ぼす。筆者らはドレイン側でのランダムで離散的なドーパント分布を有する半導体素子を製作し,素子のドレイン電流を制御する方法を評価した。結果は,ドレイン側のドーパント分布がソース側のドーパント分布を有する素子よりも数パーセント高いことを示した。筆者らはこの電流の増加はソース側の注入速度劣化の抑制によって生じたものであると考える。個々のドーパント原子の位置を制御能力はドレイン電流,それゆえナノ素子の性能を増強させる。ドーパント原子の量と位置の両方を正確に制御することはナノエレクトロニクスの進歩のために重要である。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 
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