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J-GLOBAL ID：201202231260039058   整理番号：12A0682607

傾斜,三角形及び放物線型量子井戸構造を持つInGaN/GaN発光ダイオードにおける発光の比較

Comparison of Light Emission in InGaN/GaN Light-emitting Diodes with Graded, Triangular, and Parabolic Quantum-well Structures

著者 (6件)： PARK Seoung-Hwan (Catholic Univ. Daegu, Kyeongsan, KOR) ,  MOON Yong-Tae (LG Innotek, Ansan, KOR) ,  HAN Dae-Seob (LG Innotek, Ansan, KOR) ,  PARK Joong Seo (LG Innotek, Ansan, KOR) ,  OH Myeong-Seok (LG Innotek, Ansan, KOR) ,  AHN Doyeol (Univ. Seoul, Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 60  号： 3  ページ： 505-508  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *発光ダイオード ,  化合物半導体 ,  発光 ,  光学的性質 ,  遷移エネルギー

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 三角形 ,  放物線 ,  量子井戸 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード