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J-GLOBAL ID：201202231262004650   整理番号：12A1229730

YAGの水熱成長の再考

Revisiting the Hydrothermal growth of YAG

著者 (5件)： MCMILLEN Colin D. (Dep. of Chemistry and Center for Optical Materials Sci. and Engineering Technol., Clemson Univ., 485 H.L. Hunter ...) ,  MANN Matthew (Dep. of Chemistry and Center for Optical Materials Sci. and Engineering Technol., Clemson Univ., 485 H.L. Hunter ...) ,  FAN Jiahua (The Holcombe Dep. of Electrical and Computer Engineering, Center for Optical Materials Sci. and Engineering Technol. ...) ,  ZHU Lin (The Holcombe Dep. of Electrical and Computer Engineering, Center for Optical Materials Sci. and Engineering Technol. ...) ,  KOLIS Joseph W. (Dep. of Chemistry and Center for Optical Materials Sci. and Engineering Technol., Clemson Univ., 485 H.L. Hunter ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 356  ページ： 58-64  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶の新しい組成および構造が光学用途に特定されるので,結晶成長分野では,このような材料を開発するため最適化し,新しいオプションを探求を続ける必要がある。新しい結晶成長技術および特定の化学的および物理的な現象の理解が高まって時には最も研究されたシステムについての我々の認識を再考する必要がある。したがって,YAGの水熱成長を,非アクティブのほぼ40年後に見直し,有望な新しい結果が得られた。500°CのYAG水熱成長は以前は低成長速度であり結晶品質は低かったが,600-630°Cの成長で,(100)種結晶を用いて約0.5mm/側面/週の速度で良質の単結晶が生じることを見いだした。現在の研究では,遷移金属および希土類ドープYAGの高品質エピタキシャル層は厚さが0.1から2.75ミリメートルにまで成長した。これにより,自己Qスイッチング用の共ドープCa²⁺,Cr⁴⁺,Nd:YAGの成長と増幅自己発光を抑制するためのNd:YAGの周囲のSm:YAGの成長を含む先端的な成長実験の概念の実証が可能になった。基板の界面の品質と新たな成長を検討した,成長の初期段階で非常に狭い温度勾配の適用が,大幅に界面での光の散乱を低減させることを実証した。水熱成長YAG結晶の形態も論じ,いくつかの中間形態が時折観察される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *水熱合成 ,  *溶液成長 ,  *イットリウムアルミニウムガーネット ,  *ドーピング ,  カルシウム ,  クロム ,  ネオジム ,  Qスイッチング ,  概念設計 ,  実証実験 ,  *温度勾配 ,  形態 ,  界面 ,  サマリウム ,  光散乱 ,  *品質 ,  単結晶
準シソーラス用語： *共ドーピング ,  自己Qスイッチング

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (3件)： YAG ,  水 ,  成長