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J-GLOBAL ID：201202231322233140   整理番号：12A1731427

オプトエレクトロニクス応用のためのオール無機のCdSe量子ドット薄膜の評価

Evaluation of all-inorganic CdSe quantum dot thin films for optoelectronic applications

著者 (2件)： ZHANG Y Q (West Virginia Univ., WV, USA) ,  CAO X A (West Virginia Univ., WV, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 27  ページ： 275702,1-6  発行年： 2012年07月11日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機の金属カルコゲニドSnS₄配位子とコロイド性CdSe量子ドット(QDs)のオリジナル有機配位子を交換することは,QD固体における吸収ピーク赤方偏移と完全な光ルミネセンス(PL)クエンチングをもたらした。一方,SnS₄被覆化QDsは強い励起子吸収を維持できた。配位子交換後に,ITO/QDs/Al構造は,はるかに高い電気伝導率を示して,空間電荷制限電流を減少させた。光電流スペクトル応答は,2桁以上増加して,QDsの吸収スペクトルに密接に類似していた。しかしながら,200°Cを超えるマイルド熱処理はSnS₄被覆化QD膜をより伝導性アセンブリに変化させ,その吸収と光電流発生を低下させることを確認した。これらの結果は,無機配位子がQD固体中のインタードット電子結合をかなり強化し,簡易な電荷分離と輸送を導くことを推論させる。その結果,著者の研究は,効率的な光検出と太陽エネルギー変換のために低温で処理された金属カルコゲニド配位子を有するコロイド性QDsの応用能力を示している。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  オプトエレクトロニクス ,  *コロイド ,  *光ルミネセンス ,  カルコゲン化物 ,  スズ化合物 ,  *配位子交換 ,  光吸収 ,  電気伝導率 ,  *光電流 ,  半導体薄膜 ,  消光
準シソーラス用語： 励起子吸収

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  CdSe量子ドット ,  薄膜 ,  評価