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J-GLOBAL ID：201202231380949724   整理番号：12A1202126

初期表面反応を理解することによるゲルマニウム上の酸化イットリウムの界面-層によらない成長

Interfacial-layer-free growth of yttrium oxide on germanium by understanding initial surface reactions

著者 (7件)： LIU Z.q. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117576, SGP) ,  CHIM W.k. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117576, SGP) ,  CHIAM S.y. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, 117602, SGP) ,  PAN J.s. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, 117602, SGP) ,  CHUN S.r. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Block N4.1, 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP) ,  LIU Q. (Temasek Laboratories, Nanyang Technological Univ., Block N4.1, 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP) ,  NG C.m. (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands Street 2, 738406, SGP)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 606  号： 21-22  ページ： 1638-1642  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゲルマニウム上のイットリウム金属の酸化を通して,酸化イットリウムの成長に含まれる表面および界面反応を調べた。酸化と界面反応を組み合わせて理解することにより,室温でのゲルマニウム上で界面-層によらない酸化イットリウムを成長させる,これまでは困難であることが認められていた層ごとの方法を導入することが可能となった。初期成長の過程で,イットリウムゲルマナイドは界面層の形成に最低の運動経路をもたらす証拠を示し,今回の層ごとの方法で,この経路をどのように回避できるかを説明した。この方法は,半導体上での他の金属酸化物の界面-層によらない成長を達成するのに使える可能性がある。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *表面反応 ,  *ゲルマニウム ,  *酸化イットリウム ,  不均一系反応 ,  境界層 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 界面反応 ,  界面層 ,  層毎成長

分類 (1件)： 界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 初期 ,  表面反応 ,  理解 ,  ゲルマニウム ,  酸化イットリウム ,  界面 ,  層 ,  成長