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J-GLOBAL ID：201202231382446509   整理番号：12A0387021

調節可能な触媒合金化による化合物半導体ナノワイヤの積層欠陥の回避

Tunable Catalytic Alloying Eliminates Stacking Faults in Compound Semiconductor Nanowires

著者 (12件)： HEO Hoseok (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  KANG Kibum (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  LEE Donghun (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  JIN Li-Hua (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  BACK Hyeon-Jun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Inchan (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  KIM Miseong (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  LEE Hyun-Seung (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  LEE Byeong-Joo (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  YI Gyu-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Yong-Hoon (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  JO Moon-Ho (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 2  ページ： 855-860  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cd_1-xZn_xTe(0≦x≦1)合金ナノワイヤを,固体粉体前駆体からの金触媒支援蒸着によって合成した。金触媒でのCdとZnの共晶合金化は表面エネルギー最小化により触媒成長時の界面不安定性を緩和し,均一な閃亜鉛鉱型結晶を形成することが分かった。Cd_1-xZn_xTeナノワイヤの固有エネルギーバンドギャップ変調は全可視領域で光検出及び発光での調節可能なスペクトル応答と時間的変化を利用できる。

シソーラス用語： *合金化 ,  *化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *積層欠陥 ,  *カドミウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *亜鉛化合物 ,  合金 ,  前駆体 ,  金 ,  触媒 ,  蒸着 ,  共晶 ,  表面エネルギー ,  機能 ,  操作 ,  界面 ,  不安定性 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  エネルギー ,  バンドギャップ ,  信号変調 ,  光検出 ,  発光 ,  応答 ,  経時変化 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： *テルル化カドミウム亜鉛 ,  最小化 ,  固有エネルギー ,  変調【信号】 ,  スペクトル応答 ,  時間的変化 ,  時間分解光ルミネセンス

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 調節 ,  触媒 ,  合金化 ,  化合物半導体 ,  ナノワイヤ ,  積層欠陥 ,  回避