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J-GLOBAL ID：201202231434247925   整理番号：12A0876145

セレン化ガリウム結晶中のキャリア移動度の電場依存性

Dependence of carrier mobility on an electric field in gallium selenide crystals

著者 (3件)： ABDINOV A. Sh. (Baku State Univ., AZ-1145, Baku, Azerbaijan) ,  BABAEVA R. F. (Baku State Univ., AZ-1145, Baku, Azerbaijan) ,  RZAYEV R. M. (Baku State Univ., AZ-1145, Baku, Azerbaijan)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 6  ページ： 730-735  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープしていないGaSe単結晶とガドリニウムドープ結晶の電荷キャリアの移動度の電場依存性を調べた。後者の結晶は種々の値の暗状態抵抗(77Kでρ_d.r≒10⁴~10⁸Ωcm)とドーピングレベル(N=10^-5,10^-4,10^-3,10^-2と10^-1at%)を示した。電荷キャリアの移動度の電場(E≦10²V/cm)依存性をドープしていない高抵抗(ρ_d.r≧10⁴Ωcm)GaSe結晶とわずかにドープした(N≦10^-2at%)GaSe結晶でT≦150Kで観測した。この依存性は電場による電荷キャリアの加熱とは関連が無いことを見出した。むしろ,それは注入の結果としてのドリフト障壁の消滅で生じたのである。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  単結晶 ,  *ガドリニウム ,  *ドーピング ,  加熱 ,  ドリフト ,  ポテンシャル障壁 ,  *キャリア移動度 ,  キャリア
準シソーラス用語： *セレン化ガリウム ,  電荷キャリア ,  電場依存性

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： セレン化ガリウム ,  結晶 ,  キャリア移動度 ,  電場依存性