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J-GLOBAL ID:201202231448621110   整理番号:12A1306030

平面型Schottky障壁ダイオードの電圧依存直列抵抗

On the voltage-dependent series resistance of a planar Schottky barrier diode
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資料名:
巻: 99  号: 7/9  ページ: 1051-1061  発行年: 2012年07月 
JST資料番号: C0287B  ISSN: 0020-7217  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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P型ケイ素ウェーハ上にAl-Si平面型Schottky障壁ダイオードを作製して,DC電流電圧特性を測定し,デバイスの直列抵抗を調べ,その電圧依存性を評価した。さまざまなキャラクタリゼーション技術を適用して見たが,既存の技術は適用できないことが分かった。電流電圧特性の数値解析の結果,直列抵抗の異常な電圧依存性が明らかとなった。理由として,バックコンタクトの非オーム性が考えられた。Ohm接触の処に第2の低い障壁ができ,デバイスは2つのSchottky障壁ダイオードがバックツーバックで直列接続された構造になっていることが推定された。さまざまな周波数でAC抵抗およびキャパシタンスを測定した結果,この推定と一致することが分かった。
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分類 (1件):
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ダイオード 
タイトルに関連する用語 (2件):
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