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J-GLOBAL ID：201202231455241749   整理番号：12A1510435

FD SOI MOSFETにおけるゲート電圧による生成再結合雑音の依存性

Dependence of Generation-Recombination Noise With Gate Voltage in FD SOI MOSFETs

著者 (8件)： LUQUE RODRIGUEZ Abraham (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  JIMENEZ TEJADA Juan A. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  RODRIGUEZ-BOLIVAR Salvador (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  MENDES ALMEIDA Luciano (Univ. Sao Paulo, Sao Paulo, BRA) ,  AOULAICHE Marc (Interuniversity Microelectronic Center, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Cor (Interuniversity Microelectronic Center, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Cor (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  SIMOEN Eddy (Interuniversity Microelectronic Center, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 10  ページ： 2780-2786  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 雑音スペクトルにみられる生成再結合雑音の二つの要素は,1/fとLorentz成分である。1/f雑音はSi/SiO₂界面にある欠陥に関連する。Lorentzスペクトルのコーナー周波数がゲート電圧に独立ならば雑音は空乏層の捕獲準位に関係する。この過程は中性で空乏化した反転領域が明確に定められるMOSFETでは有効だが,完全空乏化(FD)したSOIトランジスタでは成り立たないことを示した。Lorentzスペクトルコーナー周波数のゲート電圧依存性はバルクトランジスタの定常挙動と異なる。コーナー周波数のシフトはキャラクタリゼーションプロセスを簡単にし,エネルギー位置,捕獲断面積,トラップ密度の決定に役立つ。

シソーラス用語： 空乏層 ,  低周波雑音 ,  *MOSFET ,  モデリング ,  雑音 ,  固体素子 ,  シミュレーション ,  素子構造 ,  SOI構造 ,  電圧 ,  再結合 ,  スペクトル ,  1/f雑音 ,  断面積
準シソーラス用語： *ゲート電圧 ,  マルチゲートMOSFET ,  *雑音スペクトル ,  電子デバイス ,  捕獲断面積

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  MOSFET ,  ゲート電圧 ,  再結合 ,  雑音 ,  依存性