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J-GLOBAL ID:201202231489512377   整理番号:12A0593457

オルトケイ酸コバルトCo2SiO4中におけるコバルト拡散の方位,酸素活量,温度依存性

Orientation, oxygen activity and temperature dependencies of the diffusion of cobalt in cobalt orthosilicate, Co2SiO4
著者 (2件):
資料名:
巻: 212  ページ: 66-76  発行年: 2012年03月29日 
JST資料番号: B0096B  ISSN: 0167-2738  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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オルトケイ酸コバルトCo<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>中における点欠陥および欠陥関連輸送特性についての理解を促すため,高純度のコバルトの方位依存拡散,そして,シリカと熱力学的に平衡している,合成したCo<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>単結晶について,結晶方位,酸素活量,温度を関数として,実験的に調べた。1300°Cで,基本方位の三方向に沿った,Co<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>中におけるコバルト拡散の酸素活量依存性は,高い酸素活量では,多数欠陥のコバルト空乏および孔に対応する。低い酸素活量では,コバルトトレーサー拡散係数の酸素活量依存性は,高い酸素活量の場合よりも小さかった。この結果は,低い酸素活量におけるコバルト格子間濃度増加に関係があるようだ。また,低い酸素活量では,使用サンプル中に存在する不純物質イオンの影響が大きくなったことも関係するようである。不純物質イオンの影響について言えば,高い酸素活量の場合と比べ,低い酸素活量では,全点欠陥濃度が小さいことに起因している。a<sub>O</sub>(O=O<sub>2</sub>)=1 (a<sub>O</sub>(O=O<sub>2</sub>)=P<sub>O</sub>(O=O<sub>2</sub>)/P°<sub>O</sub>(O=O<sub>2</sub>), P°<sub>O</sub>(O=O<sub>2</sub>)=1atm)において,1200~1300°Cの間で,基本方位の三方向に沿った,コバルトトレーサー拡散の温度依存性について調べた。得られた結果から,Co<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>中におけるコバルト拡散の異方性は,温度に伴い著しく変化するものではないことが示された。結晶方位を決定し,空間群Pbnmを用いた場合,a<sub>O</sub>(O=O<sub>2</sub>)=1の際,コバルトトレーサー拡散係数の比は,およそ,D<sup><*></sup><sub>Co[001]</sub>:D<sup><*></sup><sub>Co[010]</sub>:D<sup><*></sup><sub>Co[100]</sub>=30:3:1である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体中の拡散一般  ,  半導体の格子欠陥 

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