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J-GLOBAL ID：201202231623976210   整理番号：12A1764081

熱焼なまし後の非晶質イオン注入炭化ケイ素の再結晶

Recrystallization of amorphous ion-implanted silicon carbide after thermal annealing

著者 (5件)： MIRO S. (DEN, CEA, Gif-sur-Yvette, FRA) ,  COSTANTINI J.-M. (DEN, CEA, Gif-sur-Yvette, FRA) ,  SORIEUL S. (Univ. Bordeaux 1, Gradignan, FRA) ,  GOSMAIN L. (DEN, CEA, Gif-sur-Yvette, FRA) ,  THOME L. (CSNSM, CNRS, Orsay-Campus, FRA)
資料名： Philosophical Magazine Letters  (Philosophical Magazine Letters)
巻： 92  号： 10/12  ページ： 633-639  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： T0360A  ISSN： 0950-0839  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4MeV Auイオンを10¹⁵cm^-2のフルエンスで注入した6H-SiC単結晶の焼なまし挙動を顕微Ramanと光学顕微鏡によって研究した。Ramanスペクトルは,照射した層が非晶質であり,6H-SiC結晶に関連するピークが完全に消えることを明らかにした。熱焼なまし後,6H-SiC結晶に関連する主ピークが再び現れて,焼なまし温度と共に増加するが,最初の試料の強度には達しなかった。全無秩序は約40%の残留損傷に飽和した。さらに,900°C以上での焼なましは照射層に応力を引き起こし,各種サイズと結晶状態の結晶子を産出した。Ramanスペクトルは1500°Cで黒鉛状ナノクラスタ形成の証拠を示している。

シソーラス用語： 焼なまし ,  非晶質 ,  イオン注入 ,  *炭化ケイ素 ,  *再結晶 ,  金 ,  金属イオン ,  フルエンス ,  単結晶 ,  顕微Raman分光法 ,  光学顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  温度依存性 ,  スペクトル線強度 ,  照射損傷 ,  層 ,  応力 ,  グラファイト ,  ナノクラスタ
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  黒鉛

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 焼なまし ,  非晶質 ,  イオン注入 ,  炭化ケイ素 ,  再結晶