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J-GLOBAL ID：201202231678647925   整理番号：12A1450778

パルス-反転電析Cu薄膜の特性 I 有機添加剤の不存在下での陽極ステップの効果

Characteristics of Pulse-Reverse Electrodeposited Cu Thin Films: I. Effects of the Anodic Step in the Absence of an Organic Additive

著者 (6件)： KIM Myung Jun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LIM Taeho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Kyung Ju (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Sung Ki (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Soo-Kil (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jae Jeong (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 9  ページ： D538-D543  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体チップに対する銅(Cu)相互配線は有機添加剤からの相乗作用によるトレンチにおけるスーパー充填が容易に達成できるために,電析法を使用して作製されてきた。最近,Cu相互配線の寸法は大規模集積プロセッサの実現のために常に縮小化されてきているが,ギャップ充填,深刻な電気抵抗率の増大,およびエレクトロマイグレーション障害のような問題に対処する必要があった。本研究では,Cu膜の特性の改善のために,パルス-反転電析を試み,有機添加剤の不存在下での陽極ステップの効果を調べた。その結果,パルス-反転電析により,最適陽極電荷量では9%の抵抗率の低下および50%のCu(111)形成の向上がもたらされた。陽極ステップによって,Cu粒の増大が引き起こされるとともにCu(111)の進展が促進された。最適なアノード電荷での最低の抵抗率が,粒径と表面粗度の兼ね合いから生じ,それは理論的研究の結果によっても支持された。

シソーラス用語： *反転 ,  *パルス ,  電解 ,  *電着 ,  *銅 ,  *金属薄膜 ,  *配線 ,  半導体チップ ,  添加剤 ,  陽分極 ,  アノード酸化 ,  充填 ,  溝 ,  間隙 ,  LSI【IC】 ,  マイクロプロセッサ ,  電気抵抗率 ,  エレクトロマイグレーション ,  ステップ応答 ,  特性 ,  最適化 ,  電荷 ,  粒径 ,  表面粗さ ,  結晶方位
準シソーラス用語： トレンチ ,  *相互配線 ,  定電位電解 ,  *電気パルス ,  膜特性

分類 (4件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  電気めっき  (WC08023B) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルス ,  反転 ,  電析 ,  Cu ,  薄膜 ,  添加剤 ,  陽極