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J-GLOBAL ID：201202231692898922   整理番号：12A1030584

Zr-Si-C薄膜のマグネトロンスパッタリング

Magnetron sputtering of Zr-Si-C thin films

著者 (4件)： ANDERSSON Matilda ,  URBONAITE Sigita ,  LEWIN Erik ,  JANSSON Ulf
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 20  ページ： 6375-6381  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングによって蒸着したZr-CおよびZr-Si-C膜の相組成と化学結合を研究した。結果として,高炭素含有量における2元Zr-C膜は,非晶質炭素マトリックス中にZrCナノ結晶を生じた。Siの添加は,約15原子%の臨界濃度以上で,膜の完全非晶質化を誘発した。X線回折と透過型電子顕微鏡法は,非晶質膜は,ナノ微結晶を含まず,したがって真の非晶質炭化物として記述できることを確認した。非晶質膜は熱的に安定ではあるが,500°C以上で結晶化し始める。X線光電子分光法による化学結合の解析は,非晶質膜は,Zr-C,Zr-SiおよびSi-Cなどの様々な化学結合の混合を表すことを示唆し,そして,電気的性質および機械的性質はこれらの結合の分布に依存することを示唆した。高炭素含有量に対して,強いSi-C結合を非晶質Zr-Si-C膜中に形成し,これらを対応する二元Zr-C膜よりも硬くする。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  金属薄膜 ,  *薄膜 ,  材料 ,  *炭化物 ,  物理蒸着 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  ジルコニウム ,  ケイ素 ,  炭素 ,  化学結合 ,  走査電子顕微鏡 ,  炭化ケイ素 ,  ジルコニウム化合物 ,  硬度 ,  依存性 ,  電気的性質 ,  機械的性質 ,  ナノ結晶 ,  結晶化 ,  濃度 ,  二元合金 ,  三元合金 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： C ,  *DCマグネトロンスパッタリング ,  SEM【顕微鏡】 ,  Si ,  Zr ,  ナノ微結晶 ,  硬さ ,  合金薄膜 ,  組成依存性 ,  炭化ジルコニウム ,  透過型電子顕微鏡法 ,  非晶質材料 ,  *非晶質薄膜 ,  臨界濃度

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  機械的性質  (WB02030U) ,  電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング